Known Good Die (KGD) program

フィリップスのネイキッド・パワー・ダイ・プログラムは、ネイキッド・ダイ・アセンブリに伴う困難をすべて克服し、完全にテストされたハイクオリティのデバイスを提供します。特別に設計された試験ヘッドを活用して、従来は不可能であったフルパワーのMOSFETデバイス試験を実行し、高電流と堅牢性をカバーし、正確なオン抵抗測定を実現しています。

主な利点

• 実測RDS(on)値を0.1Ωの精度で大幅に削減
• 消費電力を改善
• 特定用途向けのダイ設計が可能
• シリコンをモジュール基板に直接装着し、熱抵抗を大幅に削減
• 連続高温動作（175°C以上）
• 連続高電流動作（200A以上）
• ハイブリッド・モジュールへの組み込み後に非常に高い信頼性を実現
• すべてのパワー・ダイを個別に100%試験することにより品質を保証
• アバランシェ試験とビジュアル検査
• 25Aでの高電流試験
• テープおよびリールによる提供

主要アプリケーション

• EPAS（電子パワー・アシスト・ステアリング）
• ISA（統合スターター・オルタネータ）

情報リソース

『Naked power die program - Known Good Die (KGD) automotive power MOSFETs』

製品概要

BUK9004-30A
BUK9005-40A
BUK9006-55A

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