MRFE8VP8600H|140 W Avg., 470-860 MHz, 50 V

製品
無線周波数
Legacy RF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
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- MRF13750H
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- MRF6V12250H
- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE8VP8600H

The MRFE8VP8600H and MRFE8VP8600HS high power transistors are designed for use in UHF TV broadcast applications. The devices have an integrated input matching network for better power distribution and are ideal for use in both analog and digital TV transmitters.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Excellent thermal characteristics
High gain for reduced PA size
High efficiency for Class AB and Doherty operations
Integrated input matching and unmatched output
Extended negative gate-gource voltage range of -6 Vdc to +10 Vdc
RoHS compliant

部品番号： MRFE8VP8600H, MRFE8VP8600HS.

RF Performance Tables

DBV-T Broadband Class AB Performance

V_DD = 50 Vdc, I_DQ = 1400 mA, Channel Bandwidth = 8 MHz, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Signal Type	P_out (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)
DVB-T (8k OFDM)	140 Avg.	474	20.2	29.7	8.9
		610	20.7	34.5	8.2
		810	20.0	34.0	8.4

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	P_out (W)	Test Voltage	Result
860	DVB-T (8k OFDM)	20:1 at all Phase Angles	125 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

^{データ・シート}
MRFE8VP8600H 140 W Avg, 470-870 MHz, 50 V Data Sheet

PDF改訂 1Aug 11, 2017338.0 KBMRFE8VP8600HEnglish
^{アプリケーション・ノート}
AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages

PDF改訂 1Feb 24, 2011664.6 KBAN1908English
^{パッケージ情報}
98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 HOct 25, 2019159.0 KBSOT1787-1English
^{パッケージ情報}
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 HFeb 23, 201644.6 KBSOT1829-1English

設計・リソース

デザイン・ファイル

1-5 の 6 設計・ファイル

^{シミュレーションとモデル}
MRFE8VP8600H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jul 21, 2015 00:00:003.2 MBMRFE8VP8600H_MDL_AWR
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
MRFE8VP8600H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:001.3 MBMRFE8VP8600H_MDL_ADS
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^{プリント基板と回路図}
MRFE8VP8600H PCB DXF file

ZIP改訂 0Aug 3, 2015 00:00:00361.2 KBMRFE8VP8600H_PCB
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^電卓
MRFE8VP8600H RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jul 30, 2015 00:00:0032.0 KBMRFE8VP8600H_MTTF_CALC
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140 W Avg. over 470-860 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

DBV-T Broadband Class AB Performance

Load Mismatch/Ruggedness

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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MRFE8VP8600H RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

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MRFE8VP8600H RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE8VP8600H PCB DXF file

MRFE8VP8600H RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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