デザイン・ファイル
2 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
S-parameters BFU710F
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Design Tool
NXP design kit: RF small signal
NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor
BFU710F アラートの受信
NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
sot343f_3d
製品詳細
Features
- 110 GHz fT silicon germanium technology
- High maximum power gain 14 dB at 12 GHz
- Low noise high gain microwave transistor
- Noise figure (NF) = 1.45 dB at 12 GHz
Target Applications
- 2nd LNA stage and mixer stage in DBS LNB’s
- AMR
- Bluetooth
- FM radio
- GPS
- Ka band oscillators DRO’s
- Low current battery equiped applications
- Low noise amplifiers for microwave communications systems
- Microwave driver / buffer applications
- Mobile TV
- RKE
- ZigBee
部品番号： BFU710F.
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.