デザイン・ファイル
2 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
S-parameters BFU725F/N1
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Design Tool
NXP design kit: RF small signal
NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor
BFU725F アラートの受信
NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
sot343f_3d
製品詳細
Features
- Low noise high gain microwave transistor
- Noise figure (NF) = 0.7 dB at 5.8 GHz
- High maximum stable gain 27 dB at 1.8 GHz
- 110 GHz fT silicon germanium technology
Target Applications
- 2nd LNA stage and mixer stage in DBS LNB’s
- Satellite radio
- Low noise amplifiers for microwave communications systems
- WLAN and CDMA applications
- Analog/digital cordless applications
- Ka band oscillators DRO’s
部品番号： BFU725F.
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
1-5 の 7 ドキュメント
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アプリケーション・ノート
BFU725F/N1 1.5 GHz LNA evaluation board
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アプリケーション・ノート
BFU725F/N1 2.4 GHz LNA evaluation board