SiC MOSFET用のセグメント化ドライブを備えた高度な高電圧絶縁ゲート・ドライバ
GD3160 アラートの受信
GD3160シリコンおよびイネーブルメント（ドキュメント、ソフトウェア、およびボード）は、限られたお客様のみご利用いただけます（NDAが必要です）。詳しい情報やサンプルの供給状況については、サポートまたは営業担当者にお問い合わせください。
GD3160は、炭化ケイ素 (SiC) MOSFETの駆動と保護および機能安全のために機能が強化された、改良型の高度なシングルチャネル高電圧絶縁ゲート・ドライバです。
GD3160は、SPIを介してプログラム可能な駆動、保護、およびフォルト・レポート機能を備えているため、ユーザーはほぼすべてのSiC MOSFETまたはSi IGBTパワー・スイッチの駆動および保護条件を最適化できます。
GD3160はISO 26262準拠かつ車載認定済みで、BOMコストの削減と機能安全に対応する機能を統合しており、ASIL Dに準拠した電力密度の高いxEVインバーター・ソリューションの実現をサポートします。
製品詳細
特長
主な特長
- HV絶縁IGBTおよびSiCシングル・ゲート・ドライバICデバイス機能
- 負荷電流 (IL)：15 A（標準）
- シングル・チャネル
- ドレイン–ソース間オン抵抗500 mΩ RDS(ON)（標準）
- 負荷供給電圧：最小-12 V、最大25 V
- 供給電圧：最小4.5 V、最大40 V
- 動作温度範囲（周囲）：-40～125°C
- PWM/SPIインターフェースおよび入力コントローラ
動作
- ±15 A分割出力対応のゲート電流駆動
- プログラム可能なHV VCCレギュレータ出力：14 V～21 V（1 V刻み）
- 最大VCC出力電圧：23 V
保護
- NTCサーミスタまたはダイオード・センサ用のHV温度検知 (TSENSE) を内蔵、オフセットとゲインをプログラム可能
- より迅速なVCE DeSat検出および応答時間：1.2 μs未満 (SiC)
- PWMのデッドタイム範囲の改善によるスイッチング損失の削減 (SiC)
- プログラム可能な2段階ターンオフ (2LTO) とソフト・シャットダウン (SSD)
機能安全
- 追加のプログラマブル・フォルト・ピン (INTA)
- HVフォルト・マネジメント (FSISO) を内蔵
- プログラム可能なVCE出力監視
絶縁
- 最小コモン・モード過渡耐性 (CMTI) 100 V/ns超
- UL1577に準拠した5,000 Vrmsのガルバニック絶縁（計画）
長期製品供給プログラム
- この製品は、お客様の組込み設計に使用される製品の安定供給を保証するNXP長期製品供給プログラムの対象となっています。GD3160は15年間のプログラムの対象です。
部品番号： MGD3160AM315EK, MGD3160AM335EK, MGD3160AM515EK, MGD3160AM535EK.
設計・リソース
ハードウェア
ソフトウェア
3 ソフトウェア・ファイル
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スニペット、ブート・コード、ヘッダ、モニタなど
GD31xx Driver Example Code
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デバッグと可視化ツール
FlexGUI for GD31xx Advanced Gate Driver Evaluation Software更新
注: より快適にご利用いただくために、ソフトウェアのダウンロードはデスクトップで行うことを推奨します。