デザイン・ファイル
3 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
A5G35H110N Peaking Class AB S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A5G35H110N Carrier S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A5G35H110N Peaking Class C S-Parameters
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この15.1 W非対称ドハティRFパワーGaNアンプは、3300~3700 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。
3300~3700 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。
部品番号: A5G35H110N, A5G35H110N-3400.
周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
3300 MHz | 14.8 | 57.6 | 7.5 | -27.9 |
3400 MHz | 15.4 | 55.7 | 7.8 | -29.3 |
3500 MHz | 15.8 | 54.0 | 8.0 | -30.8 |
3600 MHz | 15.8 | 54.3 | 7.8 | -31.1 |
3700 MHz | 14.9 | 54.3 | 7.4 | -31.0 |
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
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