デザイン・ファイル
3 設計・ファイル
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シミュレーションとモデル
A5G35H120N Peaking Class C S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A5G35H120N Peaking Class AB S-Parameters
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シミュレーションとモデル
A5G35H120N Carrier S-Parameters
お客様の素早い設計とより早い製品化を実現する、技術情報と専門知識をご紹介します。
この18 W非対称ドハティRFパワーGaNアンプは、3300~3800 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。
3300~3800 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。
部品番号: A5G35H120N.
周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
3400 MHz | 16.0 | 56.6 | 8.0 | -29.8 |
3500 MHz | 15.8 | 56.7 | 8.1 | -31.3 |
3600 MHz | 15.7 | 56.2 | 8.1 | -33.1 |
周波数 | Gps (dB) |
ηD (%) |
出力PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
3300 MHz | 15.7 | 54.9 | 8.1 | -29.8 |
3400 MHz | 15.8 | 56.4 | 8.0 | -29.8 |
3500 MHz | 15.6 | 56.5 | 8.2 | -31.2 |
3600 MHz | 15.5 | 56.1 | 8.1 | -33.1 |
3700 MHz | 15.1 | 50.5 | 7.6 | -32.4 |
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
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